N-Channel MOSFET
SFG60N03AT 采用穩(wěn)先微電子先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造,低導(dǎo)通電阻,高雪崩擊穿耐量,可廣泛應(yīng)用于電工工具,鋰電保護(hù),PD快充和直流無(wú)刷電機(jī)等應(yīng)用。
30V, 60A
RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A
低柵極電荷
SFG60N03AT_EN_A0.pdf